MJE703G
MJE703G
Osa numero:
MJE703G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17539 Pieces
Tietolomake:
MJE703G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJE703G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJE703G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJE703G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2.8V @ 40mA, 2A
transistori tyyppi:PNP - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-225AA
Sarja:-
Virta - Max:40W
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-225AA, TO-126-3
Muut nimet:MJE703G-ND
MJE703GOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:MJE703G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
Kuvaus:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 2A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):4A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit