MUR20060CT
Osa numero:
MUR20060CT
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17595 Pieces
Tietolomake:
1.MUR20060CT.pdf2.MUR20060CT.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MUR20060CT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MUR20060CT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MUR20060CT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.7V @ 50A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:Twin Tower
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):110ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:Twin Tower
Muut nimet:MUR20060CTGN
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MUR20060CT
Laajennettu kuvaus:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
diodi Tyyppi:Schottky
diodikonfiguraatiolla:1 Pair Common Cathode
Kuvaus:DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:25µA @ 50V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit