MURT20010R
MURT20010R
Osa numero:
MURT20010R
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16475 Pieces
Tietolomake:
1.MURT20010R.pdf2.MURT20010R.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MURT20010R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MURT20010R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MURT20010R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.3V @ 100A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):100V
Toimittaja Device Package:Three Tower
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):75ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:Three Tower
Muut nimet:MURT20010RGN
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:MURT20010R
Laajennettu kuvaus:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
diodi Tyyppi:Standard
diodikonfiguraatiolla:1 Pair Common Anode
Kuvaus:DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:25µA @ 50V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit