NDD02N40-1G
NDD02N40-1G
Osa numero:
NDD02N40-1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17333 Pieces
Tietolomake:
NDD02N40-1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NDD02N40-1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NDD02N40-1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NDD02N40-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Tehonkulutus (Max):39W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:NDD02N40-1G-ND
NDD02N40-1GOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:NDD02N40-1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:121pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 400V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-Pak
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):400V
Kuvaus:MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit