Ostaa NE5520379A-T1A-A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE5520379A-T1A-A
- Osa numero:
- NE5520379A-T1A-A
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18925 Pieces
- Tietolomake:
- 1.NE5520379A-T1A-A.pdf2.NE5520379A-T1A-A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE5520379A-T1A-A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE5520379A-T1A-A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 3.2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 15V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | 79A |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 35.5dBm |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| Muut nimet: | NE5520379A-T1A-ADKR |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE5520379A-T1A-A |
| Saada: | 16dB |
| Taajuus: | 915MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 3.2V 915MHz 16dB 35.5dBm 79A |
| Kuvaus: | FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG |
| Nykyinen arvostelu: | 1.5A |
| Nykyinen - Testi: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE5520379A-T1A-A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NE552R679A-T1A-A | CEL | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | tiedustelu |
 |
BLF7G24L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | tiedustelu |
 |
PTAB182002TCV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | tiedustelu |
 |
PD84002 | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ | tiedustelu |
 |
AFT27S006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | tiedustelu |
|
NE552R679A-A | CEL | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | tiedustelu |
|
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRF5S9070NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | tiedustelu |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | tiedustelu |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | tiedustelu |
 |
MRF6S24140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | tiedustelu |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | tiedustelu |
 |
PTFA210601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 | tiedustelu |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers