NGTB40N120FL2WG
NGTB40N120FL2WG
Osa numero:
NGTB40N120FL2WG
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
IGBT 1200V 80A 535W TO247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19766 Pieces
Tietolomake:
NGTB40N120FL2WG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NGTB40N120FL2WG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NGTB40N120FL2WG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NGTB40N120FL2WG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 40A
Testaa kunto:600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:116ns/286ns
Switching Energy:3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Toimittaja Device Package:TO-247
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):240ns
Virta - Max:535W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:NGTB40N120FL2WGOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:34 Weeks
Valmistajan osanumero:NGTB40N120FL2WG
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:Trench Field Stop
Gate Charge:313nC
Laajennettu kuvaus:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
Kuvaus:IGBT 1200V 80A 535W TO247
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):200A
Nykyinen - Collector (le) (Max):80A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit