NSS40301MDR2G
Osa numero:
NSS40301MDR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12593 Pieces
Tietolomake:
NSS40301MDR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSS40301MDR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSS40301MDR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSS40301MDR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:115mV @ 200mA, 2A
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
Virta - Max:653mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:NSS40301MDR2G
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Kuvaus:TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:180 @ 1A, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit