NSVMUN5132T1G
NSVMUN5132T1G
Osa numero:
NSVMUN5132T1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13416 Pieces
Tietolomake:
NSVMUN5132T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSVMUN5132T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVMUN5132T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSVMUN5132T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SC-70-3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:202mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:NSVMUN5132T1G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit