NTB18N06T4G
NTB18N06T4G
Osa numero:
NTB18N06T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12403 Pieces
Tietolomake:
NTB18N06T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTB18N06T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTB18N06T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTB18N06T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 7.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):48.4W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:NTB18N06T4GOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTB18N06T4G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit