NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G
Osa numero:
NVD20N03L27T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15626 Pieces
Tietolomake:
NVD20N03L27T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVD20N03L27T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVD20N03L27T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVD20N03L27T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 10A, 5V
Tehonkulutus (Max):1.75W (Ta), 74W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NVD20N03L27T4G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18.9nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit