PD20010TR-E
PD20010TR-E
Osa numero:
PD20010TR-E
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
20561 Pieces
Tietolomake:
PD20010TR-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PD20010TR-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PD20010TR-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PD20010TR-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Testi:13.6V
Jännite - Rated:40V
transistori tyyppi:LDMOS
Toimittaja Device Package:PowerSO-10RF (Formed Lead)
Sarja:-
Virta - Output:10W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Muut nimet:497-10096-6
Noise Kuva:-
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:11 Weeks
Valmistajan osanumero:PD20010TR-E
Saada:11dB
Taajuus:2GHz
Laajennettu kuvaus:RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Kuvaus:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
Nykyinen arvostelu:5A
Nykyinen - Testi:150mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit