Ostaa PMDXB950UPEZ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
PMDXB950UPEZ
- Osa numero:
- PMDXB950UPEZ
- Valmistaja:
- Nexperia
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13594 Pieces
- Tietolomake:
- PMDXB950UPEZ.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä PMDXB950UPEZ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PMDXB950UPEZ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | DFN1010B-6 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Virta - Max: | 265mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | 1727-2279-2 568-12565-2 568-12565-2-ND PMDXB950UPEZ-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | PMDXB950UPEZ |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 43pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.1nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PMDXB950UPEZ
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDS6890A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | tiedustelu |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | tiedustelu |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | tiedustelu |
|
PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | tiedustelu |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | tiedustelu |
|
PMDXB600UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | tiedustelu |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | tiedustelu |
|
PMDXB1200UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | tiedustelu |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | tiedustelu |
|
PMDXB600UNELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | tiedustelu |
|
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers