Ostaa RFM01U7P(TE12L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RFM01U7P(TE12L,F)
- Osa numero:
- RFM01U7P(TE12L,F)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH PW-MINI
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17966 Pieces
- Tietolomake:
- RFM01U7P(TE12L,F).pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RFM01U7P(TE12L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RFM01U7P(TE12L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 7.2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 20V |
| transistori tyyppi: | N-Channel |
| Toimittaja Device Package: | PW-MINI |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 1.2W |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-243AA |
| Muut nimet: | RFM01U7P(TE12LF)CT |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | RFM01U7P(TE12L,F) |
| Saada: | 10.8dB |
| Taajuus: | 520MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel 7.2V 100mA 520MHz 10.8dB 1.2W PW-MINI |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH PW-MINI |
| Nykyinen arvostelu: | 1A |
| Nykyinen - Testi: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RFM01U7P(TE12L,F)
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
LET20030C | STMicroelectronics | FET RF 80V 2GHZ M243 | tiedustelu |
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | tiedustelu |
 |
BF256C_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 18MA TO92 | tiedustelu |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | tiedustelu |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | tiedustelu |
 |
BLF6H10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | tiedustelu |
 |
BLF546,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A | tiedustelu |
|
ARF442 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | tiedustelu |
 |
MRF6P9220HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 | tiedustelu |
 |
BLF6G10LS-160RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | tiedustelu |
 |
PD57006S | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | tiedustelu |
 |
PTFB082817FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers