RN1506(TE85L,F)
RN1506(TE85L,F)
Osa numero:
RN1506(TE85L,F)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16625 Pieces
Tietolomake:
RN1506(TE85L,F).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN1506(TE85L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN1506(TE85L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN1506(TE85L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Toimittaja Device Package:SMV
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:SC-74A, SOT-753
Muut nimet:RN1506(TE85LF)CT
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:RN1506(TE85L,F)
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Kuvaus:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit