RQ3E100GNTB
Osa numero:
RQ3E100GNTB
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14274 Pieces
Tietolomake:
RQ3E100GNTB.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RQ3E100GNTB, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RQ3E100GNTB sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RQ3E100GNTB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-HSMT (3.2x3)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta), 15W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:RQ3E100GNTBTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:RQ3E100GNTB
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.9nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit