SI1029X-T1-E3
SI1029X-T1-E3
Osa numero:
SI1029X-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14055 Pieces
Tietolomake:
SI1029X-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI1029X-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1029X-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI1029X-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:SC-89-6
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:SI1029X-T1-E3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI1029X-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:305mA, 190mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit