SI1965DH-T1-GE3
Osa numero:
SI1965DH-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12302 Pieces
Tietolomake:
SI1965DH-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI1965DH-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1965DH-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI1965DH-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Toimittaja Device Package:SC-70-6 (SOT-363)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 1A, 4.5V
Virta - Max:1.25W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DHT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI1965DH-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 8V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit