SI3932DV-T1-GE3
SI3932DV-T1-GE3
Osa numero:
SI3932DV-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19064 Pieces
Tietolomake:
SI3932DV-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI3932DV-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3932DV-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI3932DV-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:58 mOhm @ 3.4A, 10V
Virta - Max:1.4W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet:SI3932DV-T1-GE3TR
SI3932DVT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI3932DV-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.7A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit