Ostaa SI4288DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI4288DY-T1-GE3
- Osa numero:
- SI4288DY-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18217 Pieces
- Tietolomake:
- SI4288DY-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI4288DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4288DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Virta - Max: | 3.1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | SI4288DY-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI4288DY-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI4288DY-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTJD4401NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 | tiedustelu |
 |
SI7904BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 | tiedustelu |
 |
APTM20HM16FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 | tiedustelu |
 |
FDW2516NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
SI7945DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
TMC1420-LA | Trinamic Motion Control GmbH | MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN | tiedustelu |
 |
NTUD3169CZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 | tiedustelu |
 |
DMN5L06V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | tiedustelu |
 |
AOC2802 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 4WLCSP | tiedustelu |
 |
SI4286DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO | tiedustelu |
 |
BSS138DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 | tiedustelu |
 |
94-3449 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers