SI4310BDY-T1-E3
Osa numero:
SI4310BDY-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16324 Pieces
Tietolomake:
SI4310BDY-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4310BDY-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4310BDY-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4310BDY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:14-SOIC
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 10A, 10V
Virta - Max:1.14W, 1.47W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI4310BDY-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2370pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.5A, 9.8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit