SI4618DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4618DY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14040 Pieces
Tietolomake:
SI4618DY-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4618DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4618DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4618DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 8A, 10V
Virta - Max:1.98W, 4.16W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI4618DY-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A, 15.2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit