SI5903DC-T1-E3
SI5903DC-T1-E3
Osa numero:
SI5903DC-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19121 Pieces
Tietolomake:
SI5903DC-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI5903DC-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5903DC-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI5903DC-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Toimittaja Device Package:1206-8 ChipFET™
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Virta - Max:1.1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SMD, Flat Lead
Muut nimet:SI5903DC-T1-E3TR
SI5903DCT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI5903DC-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit