SI6943BDQ-T1-GE3
Osa numero:
SI6943BDQ-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16121 Pieces
Tietolomake:
SI6943BDQ-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI6943BDQ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI6943BDQ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI6943BDQ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-TSSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Virta - Max:800mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI6943BDQ-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit