Ostaa SI7923DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI7923DN-T1-GE3
- Osa numero:
- SI7923DN-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18615 Pieces
- Tietolomake:
- SI7923DN-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI7923DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI7923DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 47 mOhm @ 6.4A, 10V |
| Virta - Max: | 1.3W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Muut nimet: | SI7923DN-T1-GE3TR SI7923DNT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI7923DN-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.3A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI7923DN-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | tiedustelu |
|
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | tiedustelu |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | tiedustelu |
 |
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | tiedustelu |
|
SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | tiedustelu |
|
SI7925DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | tiedustelu |
 |
NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | tiedustelu |
 |
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC | tiedustelu |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | tiedustelu |
 |
SP8J5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
STS4DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | tiedustelu |
|
SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | tiedustelu |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers