SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3
Osa numero:
SIB914DK-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18066 Pieces
Tietolomake:
SIB914DK-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIB914DK-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIB914DK-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIB914DK-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SC-75-6L Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Virta - Max:3.1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SC-75-6L Dual
Muut nimet:SIB914DK-T1-GE3TR
SIB914DKT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SIB914DK-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:125pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.6nC @ 5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Valua lähde jännite (Vdss):8V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.5A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit