SIE818DF-T1-E3
SIE818DF-T1-E3
Osa numero:
SIE818DF-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18326 Pieces
Tietolomake:
SIE818DF-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIE818DF-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIE818DF-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIE818DF-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:10-PolarPAK® (L)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:10-PolarPAK® (L)
Muut nimet:SIE818DF-T1-E3TR
SIE818DFT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SIE818DF-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 38V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit