Ostaa SIF902EDZ-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIF902EDZ-T1-E3
- Osa numero:
- SIF902EDZ-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13352 Pieces
- Tietolomake:
- SIF902EDZ-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIF902EDZ-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIF902EDZ-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® (2x5) |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Virta - Max: | 1.6W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® 2x5 |
| Muut nimet: | SIF902EDZ-T1-E3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIF902EDZ-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIF902EDZ-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSM120D12P2C005 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | tiedustelu |
 |
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 | tiedustelu |
 |
NDS9958 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SMA5118 | Sanken | MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP | tiedustelu |
 |
IRF7750TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | tiedustelu |
 |
APTC80DDA29T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | tiedustelu |
|
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI7222DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 | tiedustelu |
 |
NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | tiedustelu |
 |
SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO | tiedustelu |
 |
NTZD3155CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | tiedustelu |
 |
BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 | tiedustelu |
 |
CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers