SIHP23N60E-GE3
SIHP23N60E-GE3
Osa numero:
SIHP23N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14870 Pieces
Tietolomake:
SIHP23N60E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHP23N60E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHP23N60E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHP23N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:158 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):227W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHP23N60E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2418pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit