SIHW47N65E-GE3
SIHW47N65E-GE3
Osa numero:
SIHW47N65E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14626 Pieces
Tietolomake:
SIHW47N65E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHW47N65E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHW47N65E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHW47N65E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AD
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:72 mOhm @ 24A, 10V
Tehonkulutus (Max):417W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHW47N65E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5682pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:273nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AD
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit