Ostaa SIRB40DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIRB40DP-T1-GE3
- Osa numero:
- SIRB40DP-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19663 Pieces
- Tietolomake:
- SIRB40DP-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIRB40DP-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIRB40DP-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.25 mOhm @ 10A, 10V |
| Virta - Max: | 46.2W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Muut nimet: | SIRB40DP-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIRB40DP-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4290pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIRB40DP-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PMWD26UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 20V SC70-6 | tiedustelu |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI3981DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON | tiedustelu |
|
SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
STL20DN10F7 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 | tiedustelu |
|
STL50DN6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT | tiedustelu |
 |
GWM70-01P2 | IXYS | MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL | tiedustelu |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | tiedustelu |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | tiedustelu |
 |
APTM120A65FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers