Ostaa SIS902DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIS902DN-T1-GE3
- Osa numero:
- SIS902DN-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15994 Pieces
- Tietolomake:
- SIS902DN-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIS902DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIS902DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 186 mOhm @ 3A, 10V |
| Virta - Max: | 15.4W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Muut nimet: | SIS902DN-T1-GE3TR SIS902DNT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIS902DN-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 38V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 75V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIS902DN-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD212900PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
 |
FDMD82100 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER | tiedustelu |
 |
FDS8949_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FDMB3900AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP | tiedustelu |
 |
AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8DIP | tiedustelu |
 |
SH8M14TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP | tiedustelu |
 |
ALD310704PCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | tiedustelu |
 |
SI6983DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
NX1029X,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 | tiedustelu |
 |
SP8K5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CSD75211W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers