Ostaa SIS990DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIS990DN-T1-GE3
- Osa numero:
- SIS990DN-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18725 Pieces
- Tietolomake:
- SIS990DN-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIS990DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIS990DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| Virta - Max: | 25W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Muut nimet: | SIS990DN-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIS990DN-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12.1A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIS990DN-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD310700PCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | tiedustelu |
 |
PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | tiedustelu |
 |
FDMS3616S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56 | tiedustelu |
 |
APTM10DHM09TG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 | tiedustelu |
 |
SI4973DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC | tiedustelu |
 |
IRF7311TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI6925ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP | tiedustelu |
|
SI4920DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMP2060UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN | tiedustelu |
 |
AO8822 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP | tiedustelu |
|
IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI3905DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
NTHD4401PT3 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers