Ostaa SIZ900DT-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIZ900DT-T1-GE3
- Osa numero:
- SIZ900DT-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18112 Pieces
- Tietolomake:
- SIZ900DT-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIZ900DT-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIZ900DT-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-PowerPair™ |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Virta - Max: | 48W, 100W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-PowerPair™ |
| Muut nimet: | SIZ900DT-T1-GE3TR SIZ900DTT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIZ900DT-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1830pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 24A, 28A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIZ900DT-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | tiedustelu |
 |
BSS8402DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | tiedustelu |
 |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6 | tiedustelu |
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | tiedustelu |
 |
NTMFD4C86NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | tiedustelu |
 |
FDS4935A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | tiedustelu |
 |
AO6601 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | tiedustelu |
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | tiedustelu |
|
DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | tiedustelu |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
FDG6303N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers