Ostaa SIZF906DT-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIZF906DT-T1-GE3
- Osa numero:
- SIZF906DT-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12515 Pieces
- Tietolomake:
- SIZF906DT-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIZF906DT-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIZF906DT-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAIR® 6x5F |
| Sarja: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
| Virta - Max: | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | SiZF906DT-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIZF906DT-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR® 6x5F |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIZF906DT-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD4901NFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | tiedustelu |
 |
AO6604L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
ALD212902PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
 |
FDPC8011S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | tiedustelu |
 |
SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
SSM6L16FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | tiedustelu |
 |
CMLDM3757 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | tiedustelu |
 |
DMN4027SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO | tiedustelu |
 |
MP6M12TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6 | tiedustelu |
|
SI4532DY | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers