SMUN5313DW1T3G
SMUN5313DW1T3G
Osa numero:
SMUN5313DW1T3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17042 Pieces
Tietolomake:
SMUN5313DW1T3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SMUN5313DW1T3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SMUN5313DW1T3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SMUN5313DW1T3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SOT-363
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):47k
Virta - Max:187mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:SMUN5313DW1T3G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363
Kuvaus:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit