Ostaa SQM120P06-07L_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SQM120P06-07L_GE3
- Osa numero:
- SQM120P06-07L_GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 60V 120A TO263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13912 Pieces
- Tietolomake:
- SQM120P06-07L_GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SQM120P06-07L_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQM120P06-07L_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (D2Pak) |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 375W (Tc) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SQM120P06-07L_GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SQM120P06-07L_GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14280pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SQM120P06-07L_GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | tiedustelu |
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | tiedustelu |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
|
IRFR120TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | tiedustelu |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | tiedustelu |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
IXTA1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | tiedustelu |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers