SSM6J213FE(TE85L,F
SSM6J213FE(TE85L,F
Osa numero:
SSM6J213FE(TE85L,F
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13515 Pieces
Tietolomake:
SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SSM6J213FE(TE85L,F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSM6J213FE(TE85L,F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SSM6J213FE(TE85L,F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:ES6
Sarja:U-MOSVI
RDS (Max) @ Id, Vgs:103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):500mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:SSM6J213FE(TE85LFTR
SSM6J213FETE85LF
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:SSM6J213FE(TE85L,F
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit