Ostaa STD11NM60N-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STD11NM60N-1
- Osa numero:
- STD11NM60N-1
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19990 Pieces
- Tietolomake:
- STD11NM60N-1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STD11NM60N-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD11NM60N-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | MDmesh™ II |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 90W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | 497-5963-5 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | STD11NM60N-1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STD11NM60N-1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STD11NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | tiedustelu |
|
STD11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 9A DPAK | tiedustelu |
|
STD11NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | tiedustelu |
 |
IRL7833PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | tiedustelu |
|
STD11NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | tiedustelu |
|
STD11N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | tiedustelu |
 |
IPD50P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 | tiedustelu |
|
STD11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | tiedustelu |
|
STD11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A DPAK | tiedustelu |
|
STD11N60M2-EP | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., | tiedustelu |
|
STD11N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A DPAK | tiedustelu |
|
STD110N8F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | tiedustelu |
|
STD110NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers