STD3NM60N
STD3NM60N
Osa numero:
STD3NM60N
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17733 Pieces
Tietolomake:
STD3NM60N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STD3NM60N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD3NM60N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STD3NM60N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 1.65A, 10V
Tehonkulutus (Max):50W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:497-13089-2
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:26 Weeks
Valmistajan osanumero:STD3NM60N
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:188pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.3A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit