STH140N8F7-2
STH140N8F7-2
Osa numero:
STH140N8F7-2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17715 Pieces
Tietolomake:
STH140N8F7-2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STH140N8F7-2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STH140N8F7-2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STH140N8F7-2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:H²PAK
Sarja:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 45A, 10V
Tehonkulutus (Max):200W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Muut nimet:497-14534-2
STH140N8F7-2-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:STH140N8F7-2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6340pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 90A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount H²PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit