STI14NM50N
STI14NM50N
Osa numero:
STI14NM50N
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19545 Pieces
Tietolomake:
STI14NM50N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STI14NM50N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STI14NM50N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STI14NM50N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:497-13534
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STI14NM50N
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:816pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit