Ostaa STL11N65M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | - |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 85W (Tc) |
Pakkaus: | - |
Pakkaus / Case: | - |
Muut nimet: | 497-15053-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TA) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STL11N65M2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 410pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.4nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |