STP18N60M2
STP18N60M2
Osa numero:
STP18N60M2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17881 Pieces
Tietolomake:
STP18N60M2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP18N60M2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP18N60M2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP18N60M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 6.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:497-13971-5
STP18N60M2-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STP18N60M2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:791pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit