Ostaa STTH810GY-TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STTH810GY-TR
- Osa numero:
- STTH810GY-TR
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 20492 Pieces
- Tietolomake:
- STTH810GY-TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STTH810GY-TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STTH810GY-TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 2V @ 8A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1000V (1kV) |
| Toimittaja Device Package: | D²PAK |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 85ns |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | 497-13436-6 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 9 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STTH810GY-TR |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D²PAK |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 8A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STTH810GY-TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | tiedustelu |
 |
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | tiedustelu |
|
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | tiedustelu |
 |
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | tiedustelu |
|
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | tiedustelu |
 |
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | tiedustelu |
 |
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | tiedustelu |
|
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | tiedustelu |
|
STTH810G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | tiedustelu |
|
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | tiedustelu |
|
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | tiedustelu |
 |
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers