STW18NM60N
STW18NM60N
Osa numero:
STW18NM60N
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19010 Pieces
Tietolomake:
STW18NM60N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STW18NM60N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW18NM60N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STW18NM60N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247-3
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:285 mOhm @ 6.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:497-10997-5
STW18NM60N-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STW18NM60N
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit