Ostaa STW56N65DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STW56N65DM2
- Osa numero:
- STW56N65DM2
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 48A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19998 Pieces
- Tietolomake:
- STW56N65DM2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STW56N65DM2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW56N65DM2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 24A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | 497-16337-5 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STW56N65DM2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4100pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STW56N65DM2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STW56N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 50A | tiedustelu |
 |
2SK2962(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
STW56N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247 | tiedustelu |
 |
TK4P50D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3 | tiedustelu |
|
STW56N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | tiedustelu |
 |
FDD8796 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK | tiedustelu |
 |
AON7528 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN | tiedustelu |
|
STW56NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 45A TO-247 | tiedustelu |
|
STW56N65M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP | tiedustelu |
|
STW56N60M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 | tiedustelu |
 |
IRFZ24NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | tiedustelu |
 |
PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 | tiedustelu |
 |
BSL207SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers