ZXMN10A25GTA
ZXMN10A25GTA
Osa numero:
ZXMN10A25GTA
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13110 Pieces
Tietolomake:
ZXMN10A25GTA.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä ZXMN10A25GTA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXMN10A25GTA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa ZXMN10A25GTA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-223
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:125 mOhm @ 2.9A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:ZXMN10A25G
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTR-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:ZXMN10A25GTA
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:859pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit