Ostaa ZXMP3A16N8TA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZXMP3A16N8TA
- Osa numero:
- ZXMP3A16N8TA
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19064 Pieces
- Tietolomake:
- ZXMP3A16N8TA.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZXMP3A16N8TA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXMP3A16N8TA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.9W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | ZXMP3A16N8TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZXMP3A16N8TA |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1022pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 29.6nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZXMP3A16N8TA
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZXMP3F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23 | tiedustelu |
 |
IXKP10N60C5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | tiedustelu |
 |
ZXMP3A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
RJK1003DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 50A TO220 | tiedustelu |
|
ZXMP3F35N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO | tiedustelu |
 |
ZXMP3A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | tiedustelu |
|
ZXMP3A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 | tiedustelu |
|
ZXMP3F37DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO | tiedustelu |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | tiedustelu |
|
ZXMP3F36N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO | tiedustelu |
|
ZXMP3F37N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers