1N4007-G
1N4007-G
Osa numero:
1N4007-G
Valmistaja:
Comchip Technology
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18180 Pieces
Tietolomake:
1N4007-G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N4007-G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N4007-G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N4007-G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.1V @ 1A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1000V (1kV)
Toimittaja Device Package:DO-41
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:DO-204AL, DO-41, Axial
Muut nimet:641-1312-2
641-1312-2-ND
641-1312-3
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:1N4007-G
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-41
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:5µA @ 1000V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1A
Kapasitanssi @ Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit