1N5553US
1N5553US
Osa numero:
1N5553US
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14179 Pieces
Tietolomake:
1N5553US.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N5553US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N5553US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N5553US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.2V @ 9A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):800V
Toimittaja Device Package:B, SQ-MELF
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):2µs
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, B
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:7 Weeks
Valmistajan osanumero:1N5553US
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 800V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:1µA @ 800V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):3A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit